[!NOTE] 计算系统的主内存，利用电容存储电荷，是现代大规模异构计算的枢纽。
💡 核心解析
DRAM 的核心是 1T1C（一管一电容）结构。因为电荷会自然流失，它必须每隔几十毫秒‘充电’一次（Refresh）。这部分刷新功耗占据了待机漏电的极大比例。在 LPDDR5X/6 标准中，厂商引入了部分刷新延迟（Partial Refresh）和 AI 预充取逻辑，以最大化压榨能效。
📊 关键指标
- Bandwidth: 吞吐带宽
- CAS Latency: 列选通潜伏期
- Voltage Level: 工作电压等级 (VDD2/VDDQ)
🚀 硅基视角
在 AI 爆发的今天，DRAM 已经不是配件，而是主菜。HBM 实质上就是把 DRAM 像摩天大楼一样叠起来并拉近与处理器的物理距离，目标只有一个：在每一焦耳能量耗尽前，搬运更多的数据。
本条目由 GJNX AI 引擎自动挖掘并生成，旨在构建《硅基能效通识》知识体系。