[!NOTE] 英特尔埃米级代工制程，引入了背面供电（PowerVia）与全环绕栅极（RibbonFET）。
💡 核心解析
18A 标志着摩尔定律重回物理层。背面供电（BSPDN）将复杂的供电线路从芯片正面剥离，移至晶圆背面，这解决了高密度下的信号干扰和功率跌落（IR Drop）问题。而 RibbonFET 则提供了更强的电流控制能力，相比 FinFET 极大地压制了漏电流产生的无效热功耗。
📊 关键指标
- A (Angstrom): 埃米，十亿分之一米
- CPP: 接触栅极间距
- Drive Current: 驱动电流强度
🚀 硅基视角
如果说 CPU 是城市，PowerVia 就是把地面的层层高架桥移入了地下隧道。Intel 18A 之所以被视为英特尔的‘翻身仗’，正是因为它在工艺层面回归了对能效最本质的掌控。
本条目由 GJNX AI 引擎自动挖掘并生成，旨在构建《硅基能效通识》知识体系。